据俄罗斯科技媒体CNews报道，俄罗斯诺夫哥罗德正在建设一座覆盖芯片全生产周期的工厂—— 从产品研发设计到封装测试均实现本土化。工厂计划落地 800 纳米及 600 纳米工艺制程。尽管这些属于 “传统” 工艺万通配资，但其生产的芯片在国防、航天领域仍有明确需求。
新产能布局
据 CNews 消息，“瓦尔代智能电子” 科技中心（ИНТЦ）将开发适用于 800 纳米和 600 纳米制程的芯片设计工艺。
项目首期规划包括科研中心的设计建设、配套工程基础设施及半导体材料研发设备的部署。
该中心相关人士向 CNews 透露：“初期将与‘行星设计局’（ОКБ Планета）合作，落地 1-1.5 微米工艺制程。”
另据了解该中心规划的消息源称万通配资，目前设备已启动安装调试。
项目细节解析
该中心的核心任务是构建芯片全产业链体系，从硅片加工到成品封装测试实现闭环生产。诺夫哥罗德全周期芯片工厂将同步设立微电子设计中心，承担芯片拓扑结构开发、集成封装及成品测试等任务。
科研方向聚焦于基于 III-V 族和 II-IV 族半导体材料（如硅锗纳米结构）的高性能异质结研发，服务现代电子工业需求。
产品主要供应对象包括：数字信号处理实验室、诺夫哥罗德国立大学前沿工程学院、科技中心入驻企业、地区本土企业及外部客户。
该项目是落实俄罗斯总统普京 2023 年 3 月关于推进科技中心基础设施建设指示的重要举措万通配资，选址位于诺夫哥罗德州。
项目价值何在
Telegram 频道 RUSmicro 作者阿列克谢・博伊科向 CNews 指出，该项目的亮点在于构建 “从晶圆加工到封装测试” 的全链条生产能力。
“尽管ИНТЦ规划的工艺制程看似‘传统’，但这类芯片在军工航天、电力汽车电子、模拟电路及 MEMS 器件领域仍有刚需，” 博伊科分析称，“相关产品的核心竞争力在于国产化与可靠性。”
SNDGLOBAL 集团总裁奥尔加・克瓦申金娜补充道，俄罗斯国内对这类产品的需求受国家进口替代政策驱动 —— 例如 SIM 卡与身份证芯片量产计划、数千万块集成电路基板生产目标，以及规模约 2.63 万亿卢布的无线电电子市场增长。“未来几年，该工艺区间在工业、交通、能源、国防及航天领域的需求将持续存在。”
她进一步说明，仅科技中心内封装测试专项的投资额约 13-15 亿卢布，而 250-130 纳米产线重建的联邦级项目，相关企业注册资本金已增至数百亿卢布规模。
“一条 150 毫米晶圆、0.8-0.6 微米工艺、月产能数千片的产线，含前端制造、后端封装及设计中心，总投资约需 300-600 亿卢布；若升级至 200 毫米晶圆并提升产能，投资可能增至 600-900 亿卢布。” 克瓦申金娜表示。
博伊科指出，项目实施面临两大挑战：建设周期可能延长、设备采购存在不确定性。克瓦申金娜对此表示认同，并补充道：“在海外软件受限的背景下，完整 PDK（工艺设计套件）与设计生态的构建同样困难。此外，新产线初期良率通常较低，若缺乏政府及大型企业的保底订单，商业化回本将面临压力。”
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